三星发布下一代3D内存愿景：zHBM与V10 BV-NAND

三星在FMS 2026上公布了下一代3D内存架构愿景。zHBM通过晶圆键合技术将HBM垂直堆叠在AI加速器上方，预计性能为HBM5的8倍，能效提升3倍，热阻降低超50%。同时发布V10 BV-NAND，采用Bonding V-NAND架构突破400层，密度较V9提升约58%。zNAND-O面向边缘AI优化，提供4层和8层版本。三星在展台共展出约30款内存和存储技术方案。