NEO半导体发布NEO.AI内存平台，突破AI内存瓶颈

NEO Semiconductor在FMS 2026上正式发布NEO.AI内存平台，旨在解决AI最核心的两大内存瓶颈：片上内存（AI缓存）与HBM容量。X-SRAM技术将片上存储密度提升至传统SRAM的5倍，保持SRAM级性能的同时兼容先进纳米片CMOS工艺。3D X-DRAM利用成熟3D NAND制造工艺，实现DRAM容量10倍增长。创始人兼CEO Andy Hsu在大会上发表了主题演讲。